gan mos driver 文章 進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)
PMOS緩啟電路
- 本文來源于一個實(shí)際項目，需要由一個PMOS作為開關(guān)來控制電源的導(dǎo)通。但對實(shí)際參數(shù)進(jìn)行測量時，發(fā)現(xiàn)PMOS導(dǎo)通時間太短，使得后級電路的dV/dt太大，造成一些不好的影響，因此本文對如何延緩PMOS啟動速度進(jìn)行簡單學(xué)習(xí)與概述性介紹。1 米勒平臺上圖所示為PMOS的等效模型，其柵極、源極與漏極相互之間都存在寄生電容，分別為CGD，CGS，CDS。MOS管的開啟時序如下圖所示：開啟過程如下：（1）T0-T1階段，G端輸出電平，CGS開始從0充電直至VGS(th)，漏極源極之間的電壓UDS與電路IDS保持不變，MO
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邁向更綠色的未來：GaN技術(shù)的變革性影響
- 過去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022 年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340 太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長[1]。圖1 1910年以來全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關(guān)的二氧化碳排放量也在2022年達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的37 千兆噸。為應(yīng)對這一問題，
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深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？
- / 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對他們的結(jié)構(gòu)、特性、兩者的應(yīng)用差異等方面進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。引 言作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術(shù)！
- 文章 概述本文介紹了 寬帶隙（ GaN ）技術(shù)在高壓 LED照明 中的應(yīng)用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點(diǎn)討論了利用GaN技術(shù)的LED驅(qū)動器架構(gòu)的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術(shù)提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能功率BCD工藝柵極驅(qū)動器與高電壓GaN晶體管結(jié)合，簡化了設(shè)計并提高了功率密度。事實(shí)證明， 高壓LED照明可以有效地取代高強(qiáng)度放電 (HID
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“LiDAR激光雷達(dá)”為智慧物流賦能，羅姆“激光器+GaN”帶來安全精準(zhǔn)
- 1? ?LiDAR（3D感測和距離感測）備受矚目在物流行業(yè)，物流需求持續(xù)擴(kuò)大，但同時也面臨著嚴(yán)重的勞動力短缺問題。越來越多的業(yè)內(nèi)企業(yè)開始考慮引進(jìn)智慧物流系統(tǒng)，利用AGV（無人搬運(yùn)車）和AMR（自主移動機(jī)器人）等執(zhí)行工作。然而，也有很多企業(yè)擔(dān)心安全性和系統(tǒng)管理等方面的問題。實(shí)際上，ISO 對功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測技術(shù)和模塊已經(jīng)逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構(gòu)建更安全、更安心的智慧物流系統(tǒng)，并且能夠更精準(zhǔn)地感測更遠(yuǎn)的距離、不易受到陽光干擾的激光雷達(dá)LiD
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實(shí)現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器
- Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進(jìn)一步壯大其不斷擴(kuò)展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設(shè)備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。?NEX806xx/NEX808xx是準(zhǔn)諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應(yīng)同步整流控制器。這些IC可與N
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如何在設(shè)計中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~
- 如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導(dǎo)體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應(yīng)用方面優(yōu)勢突出，近年來在新能源汽車、可再生能源等功率電子領(lǐng)域風(fēng)頭無兩；而GaN則憑借出色的擊穿場強(qiáng)特性和電子飽和速度，提供出色的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)（高頻率工作）性能，在
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德州儀器擴(kuò)大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍
- 新聞亮點(diǎn)：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。●? ?德州儀器基于GaN的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。●? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導(dǎo)體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品。●? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應(yīng)用GaN制造工藝的試點(diǎn)項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，
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三相集成GaN技術(shù)如何更大限度地提高電機(jī)驅(qū)動器的性能
- 在應(yīng)對消費(fèi)類電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應(yīng)，通過實(shí)施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標(biāo)準(zhǔn)(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進(jìn)建立系統(tǒng)能效評級體系。變頻驅(qū)動器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率，特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機(jī)轉(zhuǎn)速，并進(jìn)行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開關(guān)，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效
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新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
- 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設(shè)、設(shè)備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設(shè)完成。項目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進(jìn)度的
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CAGR達(dá)49%，2030全球GaN功率元件市場規(guī)模或升至43.76億美元
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動等場景為核心。AI應(yīng)用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動算力需求持續(xù)攀升，C
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TrendForce：預(yù)計 2030 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模 43.76 億美元，復(fù)合年均增長率達(dá) 49%
- IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術(shù)傾注更多資源，功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當(dāng)前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復(fù)合年均增長率）達(dá) 49%。據(jù)介紹，消費(fèi)電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
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內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機(jī)BLDC驅(qū)動芯片方案
- 引言全球高速無刷電機(jī)行業(yè)正在經(jīng)歷持續(xù)的增長和發(fā)展。根據(jù)市場調(diào)研，亞洲市場占據(jù)了全球高速無刷電機(jī)行業(yè)的首位，市場規(guī)模占比達(dá)47%，并且預(yù)計未來增長將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國，無刷電機(jī)技術(shù)已逐漸成熟，電機(jī)和驅(qū)動器的價格均已下探到可以廣泛應(yīng)用的程度，也就拓展了無刷電機(jī)的使用場景。而控制芯片作為無刷電機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，通過接收轉(zhuǎn)子位置的反饋信號，精確控制電機(jī)的電流和電壓，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)和精確控制。目前直流無刷電機(jī)的控制主要分兩大類：方波控制（梯形波控制）與正弦波控制，這兩類控制方式的原理分別是什么呢
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
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